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PBR951硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于PHILIPS，现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品相同。
参数
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电极-发射极电压VCEO：15V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:1.5V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
性能参数
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=1.5V
直流放大系数hFE: 60～250 @VCE=6V,IC=5mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:8.0GHz@ VCE=6V,IC=5mA
集电极允许电流IC：0.1（A）
集电极最大允许耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
噪声系数NF：1.3dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
